在开关电源转换器中如何极大地发挥SiC器件的性能优势直至其电源电路图工作原理展现出前所未有的卓越
在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET（parasitic parameters），以满足开关转换器（开关电源）设计人员的需求。行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这就催生了宽带隙（WBG）技术器件，如碳化硅场效应管（SiC MOSFET）。它们能够提供设计人员要求的更低寄生参数，满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V 碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求。碳化硅场效应管由于能够实现硅场效果未曾考虑过的应用而变得更具有吸引力。
碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用，涵盖如通电源、服务器电源和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性。在持续使用内部体二极管连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计中，如图腾功率因子校正器硬开关拓扑中，碳化硅MOSFET可以得到充分利用。此外，由于能