超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST在电源网上享誉首选官方网站展示其无与伦比的低导通电阻特性
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该系列产品实现了单元密度的大幅增强，同时有效缩减芯片尺寸。相比前一代产品，这款新型晶体管在RDS(ON)方面取得了约25%的显著改进，使其适配更小型化的封装应用，如开关稳压器和直流-直流转换器。这得益于其自身独特的低栅电荷量特性，设计人员可以选择较高频率进行开关操作，并选用更为紧凑无源元件如电感和电容。此外，意法半导体提供多种工业标准封装形式，如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT等，以满足市场需求，同时兼顾现有焊盘/引脚布局结构，从而提高能效与功率密度。这些优势使得STripFET VI DeepGATE系列具备巨大的市场潜力。首批采用此工艺生产的两款产品分别是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6，其中前者采用的5x6mm PowerFLAT封装单位面积RDS(ON)达到了业界领先水平；后者采用DPAK封装，其RDS(ON)降至2.4毫欧。这两款样品已上市预计将于2009年6月正式进入量产阶段，为用户带来更加高效且节能环保的解决方案。
