超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝妙适用于电源电路原理图详解
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低的导通电阻仅为2毫欧（最大值），这项技术革新将极大地提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该系列产品实现了单元密度的大幅提高，并通过有效芯片尺寸对比，使得在同等尺寸下获得业内最佳的导通电阻RDS(ON)性能，相较于前一代产品有近20%的显著提升。这种技术不仅允许使用更小型化的贴装功率封装，还得益于其自身低栅电荷量特性，使设计师能够自由选择高频开关操作，在产品中应用更小巧无源器件，如电感和电容。这款意法半导体新推出的30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，不但兼容现有的焊盘/引脚布局，同时也带来更高效能和更多功率密度。这使得意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品在市场上占据了独特的地位。首批采纳此次改进工艺生产的一些典型品号包括STL150N3LLH6与STD150N3LLH6，它们分别采用5x6mm PowerFLAT及DPAK封装，单位面积内导通电阻RDS(ON)达到了当时市场最优水平；其中STD150N3LLH6尤其突出，其最大可达2.4毫欧。而这两款样品已于2009年初正式发布，将计划在2009年六月份开始进入大规模生产阶段。
