国家级电力期刊排名领先的30V表面贴装功率晶体管ST性能超越常规效率触及巅峰
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，显著增强了单元密度，有效利用更小尺寸的芯片空间，从而实现行业领先水平的极低RDS(ON)导通电阻，比上一代产品有20%以上显著降低。此外，这款晶体管还继承了其优异的栅电荷量特性，使得设计师能够自由选择高频开关策略，同时选用更为紧凑无源元件，如缩小尺寸的电感和电容器。意法半导体新的30V表面贴装功率晶体管系列提供多种工业标准封装形式，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L等，以兼顾现有的焊盘/引脚布局，并在保持兼容性的同时进一步提升能效与功率密度。这一创新使得STripFET VI DeepGATE产品系列拥有巨大的市场潜力。首批采用此技术改进后的产品包括STL150N3LLH6及STD150N3LLH6两款型号，其中STL150N3LLH6以5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到了行业最优；STD150N3LLH6则以DPAK封装，其RDS(ON)仅2.4毫欧。这两款样品已正式发布，并计划于2009年六月份开始大规模生产。
