超卓性能的30V线性电源电路表面贴装功率晶体管ST-致力于无与伦比的导通效率
全新推出的30V表面贴装功率晶体管系列，以其极低的导通电阻为特点，仅为2毫欧（最大值），旨在显著提升计算机、通信设备以及网络设备等领域的能效表现。该产品采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造技术，实现了单元密度的大幅提升，有效减小芯片尺寸。此举不仅使得新的表面贴装功率封装能够更紧凑，更节省空间，而且还显著降低了开关稳压器和直流—直流转换器中的RDS(ON)值，大约比上一代产品有20%以上的改进。
此外，该晶体管还继承了原有的低栅电荷量优势，这使得设计师可以自由选择更高频率进行工作，并且可以配合使用更加精细的小型无源元件，如电感和电容。这项技术革新也确保了意法半导体新的30V表面贴装功率晶体管产品能够提供多种工业标准封装选项，比如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、三针IPAK及SOT23-6L，以及对现有焊盘/引脚布局的兼容性，同时进一步提高了能效与功率密度。
这种创新设计让意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品具有广阔的市场潜力。首批采用这一工艺生产的两款产品分别是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6。其中，STL150N3LLH6以其5x6mm PowerFLAT封装，在单位面积上的RDS(ON)表现达到了当时行业最优水平，而STD150N3LLH6则以DPAK封装，其RDS(ON)达到2.4毫欧。这两款样品已经开始供货，并计划于2009年第六季度正式进入大规模生产阶段。
