世纪电源网呈现巅峰之作超卓的30V表面贴装功率晶体管ST其导通性能犹如神话中的无阻碍之门
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项革新技术将极大提升计算机、通信设备和网络服务器的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了单元密度的大幅提升，有效缩小芯片尺寸，并在此基础上再次优化，使其RDS(ON)导通电阻性能超越业界标准，比之前版本有显著20%以上的改进。这一成果得益于其独特的栅极电荷量设计，这种优势使得工程师可以自由选择更高开关频率，并在产品设计中使用更小型无源器件，如精密电感和稳压电容。意法半导体新的30V表面贴装功率晶体管系列提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L等，与现有焊盘/引脚布局兼容，同时增强了能效与功率密度。此举为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列打开了巨大的市场机会门户。首批应用该新工艺制备的产品包括两款：STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到了行业最佳水平；STD150N3LLH6则以DPAK封装闻名，其RDS(ON)仅为1.9毫欧。这两款样品已于2009年初正式发布，将于同年六月份开始进入大规模生产阶段。
