夸张哪怕是电源类型繁多如星辰亦无法阻挡低导通电阻的30V表面贴装功率晶体管ST这匹黑马独领风骚
全新推出的30V表面贴装功率晶体管系列，以其异常低的导通电阻仅2毫欧（最大值）而闻名，这一创新产品不仅提升了计算机、电信设备和网络设备的能效性能，还采用了意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE制造工艺，显著提高了单元密度。相较于前代产品，其RDS(ON)导通电阻性能获得20%以上的显著提升，使得开关稳压器和直流-直流转换器能够使用更小型化的贴装封装。这得益于其固有特性中的低栅电荷量优点，允许设计师们在高开关频率下选用更小尺寸无源部件，如磁珠和电容。意法半导体这一系列30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装方案，如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT等，不仅兼容现有焊盘/引脚布局，同时也实现了能效与功率密度的大幅提升。这一技术革新为意法半导体STripFET VI DeepGATE产品系列开辟了广阔市场空间。首批应用该新工艺的两款产品，即STL150N3LLH6与STD150N3LLH6已经上市，并计划于2009年6月正式进入量产阶段，其中STL150N3LLH6以5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到了行业最低水平；而STD150N3LLH6采用DPAK封装，RDS(ON)达到极低的2.4毫欧。此举标志着一个新的能源管理时代在电子领域悄然到来。
