超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝对稳固在电源网中处理一切电流挑战
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了单元密度的大幅提升，有效缩小芯片尺寸，并显著降低了开关稳压器和直流-直流转换器中的RDS(ON)值，相比前代产品性能提高约25%。此外，这款晶体管还继承了其优异的栅电荷量特性，使得设计师能够运用更高频率进行操作，从而在产品中选择更为紧凑无源元件，如电感和电容。此次更新还提供多种工业标准封装选项，如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT等，以满足不同的应用需求，同时保持与现有焊盘/引脚布局兼容。这些创新改进使意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品成为市场上不可或缺的一部分。在首批采用该工艺的两款产品中，STL150N3LLH6以其5x6mm PowerFLAT封装拥有业界最佳的单位面积RDS(ON)，而STD150N3LLH6则以2.4毫欧级别的DPAK封装展现出卓越表现。这两款晶体管已开始销售，并计划于2009年第2季度进入大规模生产阶段，为用户带来更加高效、高性能的解决方案。
