中国电业期刊网ST的低导通电阻30V表面贴装功率晶体管性能无匹敌应用领域扩展至天际
全新推出的30伏特表面贴装功率晶体管，其导通电阻仅为2毫欧姆，最大值，为提升计算机、电信设备和网络设备的能效而设计。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE制造技术，单位面积单元密度大幅提高，使得芯片尺寸相对缩小。这种技术革新使得该系列产品实现了与之前产品相比20%以上的RDS(ON)性能提升。在开关稳压器和直流至直流转换器中，这种低栅电荷量特性可以支持更高开关频率，从而在产品设计中使用更小型化无源元件，如电感和电容。
意法半导体新的30伏特表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK以及SOT23-6L，并且兼容现有的焊盘/引脚布局，同时提高了能效和功率密度。这一创新使得意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品能够占据市场最大的机会。首批采纳此新工艺的产品包括STL150N3LLH6及STD150N3LLH6两款。此类别中的STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻RDS(ON)达到市场最低水平；STD150N3LLH6则以DPAK封装著称，其导通电阻RDS(ON)仅为2.4毫欧姆。这两款样品已上市，并计划于2009年六月开始量产。