超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝佳选择于高效的交流稳压电源应用
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低的导通电阻仅为2毫欧（最大值），旨在大幅提升计算机、电信设备和网络设备的能效性能。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE先进制造技术，显著提高单元密度，以优化芯片尺寸，为用户提供更高效的解决方案。这款产品相比上一代产品，在RDS(ON)方面实现了20%以上的显著改进，适用于开关稳压器和直流-直流转换器等应用场景。其独特之处还在于保持低栅电荷量特性，使得设计师可以选择较高开关频率，并且使用更小型无源元件，如电感和电容，从而进一步降低系统成本。此外，该系列功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、三针IPAK和SOT23-6L，与现有焊盘/引脚布局兼容，同时也能带来更多能效与功率密度上的优势。这种兼顾性质使得意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品能够占据市场最具吸引力的位置。首批采用此新工艺的两款产品分别是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6，其中前者以5x6mm PowerFLAT封装闻名，其单位面积RDS(ON)达到了业界最低水平；后者以DPAK封装称雄，其RDS(ON)仅为2.4毫欧。两款样品已经上市，并计划于2009年六月份正式进入量产阶段，为广大客户提供更加可靠、高效的电子组件解决方案。
