直流稳压电源电路设计中的绝妙之选ST的30V表面贴装功率晶体管低导通电阻如同天上的流星璀璨夺目
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最大值），旨在大幅提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。依托意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE技术，这款创新产品通过显著提高单元密度，有效缩小芯片尺寸，从而实现了业界领先的RDS(ON)性能，比上一代产品有20%以上的改进。此外，该技术还得益于其本身优异的低栅电荷量特性，使得设计师能够灵活应用高频开关，在产品中采用更小型化无源元件，如电感和电容。意法半导体这款新系列30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT等，同时保持与现有焊盘/引脚布局兼容，并进一步增强了能效和功率密度。这使得STripFET VI DeepGATE系列产品拥有广阔的市场前景。首批采用此新工艺生产的一些典型品名包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6。这两款产品分别以5x6mm PowerFLAT及DPAK封装形式出现，其单位面积RDS(ON)达到了行业最优水平；其中STD150N3LLH6更是以2.4毫欧为其极低导通电阻值。一时间，这两款样品即将问世，并计划于2009年六月正式进入量产阶段，为用户带来更加高效且节能环保的解决方案。
