超卓性能的电源模块十大厂家之巅低导通电阻30V表面贴装功率晶体管ST绝对是高效稳定的王者
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项革新技术将极大提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了单元密度的大幅提升，有效缩小芯片尺寸，同时也达到了业界领先水平的导通电阻RDS(ON)，相较于上一代产品性能提升约25%。这种技术突破还得益于其自然拥有的低栅电荷量特性，这使设计人员能够运用更高开关频率，并在产品设计中选择更为紧凑无源器件，如变压器和滤波组件。此外，意法半导体的全新30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，以满足现有焊盘/引脚布局兼容性的同时，更好地提高能效与功率密度。这一优势为意法半导体的STripFET VI DeepGATE系列带来了巨大的市场机遇。首批采纳这一创新工艺的产品包括两款：STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻 RDS(ON) 已达行业最优水平；而STD150N3LLH6采用DPAK封装，其最大值只需2.4毫欧。两款样品已上市并计划于2009年六月份正式进入量产阶段。
