超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝佳选择于可编程直流电源的应用
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），旨在显著提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用先进的STripFET VI DeepGATE制造技术，单元密度大幅提升，使得芯片尺寸进一步压缩。相比上一代产品，这款新品在RDS(ON)方面实现了约25%的改进，为开关稳压器和直流-直流转换器提供了更小型化的贴装功率封装解决方案。此外，该技术还依赖于其固有的低栅电荷特性，允许设计师选择更高频率进行开关操作，从而使用更紧凑无源组件，如电感和电容。这项创新为意法半导体提供了多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，可以兼容现有焊盘/引脚布局，同时提高能效和功率密度。这种兼容性创造了巨大的市场潜力，使意法半导体的STripFET VI DeepGATE系列产品能够占领市场前沿位置。首批采用此新工艺的产品包括STL150N3LLH6与STD150N3LLH6两款模型，其中STL150N3LLH6以5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻RDS(ON)达到了行业最优水平；STD150N3LLH6采用DPAK封装，其导通电阻RDS(ON)为2.4毫欧。这两款产品已进入样品阶段，并计划于2009年第2季度开始量产，以满足市场对高性能功率管理解决方案需求。
