中国电源网推荐的ST品牌低导通电阻神器30V表面贴装功率晶体管它的性能强大如同一座雄伟的大山支撑着电
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络服务器的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了比上一代产品更高达30%的单元密度增长，这意味着同样的芯片尺寸下，能够提供业界领先水平的RDS(ON)导通电阻性能。这种卓越技术得益于其自身优异的栅极电荷量特性，使得设计工程师可以自由选择高频开关策略，同时选用更小型化无源元件，如电感和滤波器，以此来进一步减少系统整体尺寸。
意法半导体新的30V表面贴装功率晶体管系列以多种工业标准封装形式呈现，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK以及SOT23-6L等，不但兼容现有焊盘/引脚布局，还能显著提升能效与功率密度。这一创新使得意法半导體STripFET VI DeepGATE系列在市场上占据了独特优势。首批应用该新工艺生产的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款模型，其中STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)已经达到行业最佳水平；而STD150N3LLH6则使用DPAK封装，其RDS(ON)为2.4毫欧。两款样品已经开始销售，并计划于2009年第2季度进入大规模生产阶段。