超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝妙适配220v转24v直流电源电力输出如同雄鹰展翅
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了单位面积上最大化单元密度，使得同等尺寸下能量处理能力大幅提高。与前代产品相比，本款晶体管在RDS(ON)方面有显著20%的提升，适用于开关稳压器及直流-直流转换器设计。此外，它还继承了低栅电荷特性，允许设计师选择更高开关频率，从而减少无源部件如电感和电容的尺寸。这一系列30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK以及SOT23-6L等，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时优化了能效与功率密度。这种兼容性为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列创造了巨大的市场潜力。首批应用该技术的产品包括两款：STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其RDS(ON)单位面积达到了业界最低水平；STD150N3LLH6则采用DPAK封装，其RDS(ON)达到2.4毫欧。本两款产品已经开始样品发售，并计划于2009年第2季度正式进入量产阶段，为用户带来更加精细、高效的解决方案。
