中国电力期刊ST公司生产的30V表面贴装功率晶体管性能强大如同千斤重量级拳击手在低导通电阻的战斗中无
全新推出的30伏特表面贴装功率晶体管，以其异常低的导通电阻仅为2毫欧（最大值）而闻名。这种先进的STripFET VI DeepGATE制造技术使得单元密度大幅提升，有效缩小了芯片尺寸，从而实现了业界领先的导通电阻RDS(ON)性能，相比上一代产品有20%以上的显著改进。这项技术革新对于开关稳压器和直流-直流转换器尤为关键，因为它允许使用更小型、更高效能的贴装功率封装。此外，这款晶体管还保持了低栅电荷量特性，使得设计人员能够选择更高频率的开关模式，同时减少无源组件如电感和电容等部件大小。意法半导体新的30伏特表面贴装功率晶体管系列提供多种工业标准封装，如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、IPAK和SOT23-6L，并且兼容现有的焊盘/引脚布局，为用户带来了更高效能和更高功率密度。这项创新将为意法半导体在市场上的竞争力增添巨大优势。首批采用这一新工艺生产的一些产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款晶体管，其中STL150N3LLH6以5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻RDS(ON)达到行业最低水平，而STD150N3LLH6采用DPAK封装，其导通电阻RDS(ON)仅为2.4毫欧。两款产品已经进入样品阶段，计划于2009年六月开始量产。
