超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝对是电源模块中几大奇迹之首
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低的导通电阻仅为2毫欧（最大值），这项技术革新将极大地提升计算机、通信设备和网络设备的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE制造工艺，这款产品实现了比上一代产品更高单元密度，以便在保持相同尺寸的情况下提供最佳的导通电阻RDS(ON)，性能提升达20%以上。此外，它还继承了先前的低栅电荷量特性，使得设计师能够使用更高开关频率，同时选择小型无源器件，如电感和电容。这款新的30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK等，兼容现有焊盘/引脚布局，并进一步提高了能效和功率密度。这种兼容性和性能上的双重优势，为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品打开了巨大的市场机会。首批应用该新工艺的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款，其单位面积导通电阻 RDS(ON)达到了业界最低水平；其中STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，而STD150N3LLH6采用DPAK封装，其RDS(ON)为2.4毫欧。这两款样品已经上市，并计划于2009年6月正式进入量产阶段。
