开关电源的基本工作原理框图一款强大的ST30V表面贴装功率晶体管能像魔法一样降低导通电阻
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低的导通电阻仅为2毫欧（最大值），这项技术革新将极大地提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该系列产品实现了单元密度的大幅提高，并通过有效芯片尺寸对比，使得在同等尺寸下能够提供业界最佳的导通电阻RDS(ON)，相较于前一代产品性能提升达20%以上。此外，这款晶体管还继承了低栅电荷量特性，使得设计人员可以选择更高开关频率，从而在实际应用中使用更小型化无源器件，如电感和电容。
意法半导体这一创新30V表面贴装功率晶体管系列以多种工业标准封装形式出现，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，为广泛不同的应用场景提供兼容性，同时也带来了显著的能效和功率密度提升。这一突破性的技术使得意法半导體STripFET VI DeepGATE产品系列具有巨大的市场潜力。
首批采纳该先进工艺生产的两款晶体管分别是STL150N3LLH6与STD150N3LLH6。其中，STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积最高可达行业最优水平；而STD150N3LLH6则以DPAK封装闻名，其RDS(ON)达到令人瞩目的2.4毫欧。在样品层面上，这两款创新的晶体管已成功问世，并计划于2009年六月份进入大规模商业生产阶段。
