夸张电源有哪三大类中的奇迹之选30V表面贴装功率晶体管ST其低导通电阻性能如同天赐能为电子设备注入无
全新推出的30V表面贴装功率晶体管系列，以其令人瞩目的2毫欧（最大值）低导通电阻性能，开启了计算机、电信设备和网络设备能效的新篇章。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE先进制造技术，这款产品不仅实现了业内最优的导通电阻RDS(ON)，相比上一代产品有显著20%以上的改进，而且通过提高单元密度，有效缩小芯片尺寸，为用户提供了更紧凑、高效的解决方案。此外，该技术还得益于本身独特的低栅电荷量特性，使得设计师能够自由选择高频开关模式，并使用更小型化无源器件，如精密电子元件。
该系列产品以多种工业标准封装形式出现，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，与现有焊盘/引脚布局兼容，同时提升能源转换效率和功率密度。这项创新使得意法半导体STripFET VI DeepGATE系列产品在市场上占据了一席之地。首批采用此新工艺制成的是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款晶体管。其中，STL150N3LLH6以其5x6mm PowerFLAT封装实现了单位面积最佳的RDS(ON)；而STD150N3LLH6采用DPAK封装，其RDS(ON)为2.4毫欧。这两款样品已经投放市场，并计划于2009年六月正式进入大规模生产阶段。