超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝佳选择于交流电源稳压器系统中
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络服务器的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了比上一代产品更高达30%的RDS(ON)性能提升，支持开关稳压器和直流-直流转换器设计，同时也适用于各种尺寸的小型化贴装功率封装。这得益于其独特的低栅电荷量特性，使得设计者能够自由选择更高频率操作，并在系统中嵌入更小型化无源元件，如电感和电容。意法半导体最新发布的30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、IPAK通孔及SOT23-6L等，这些兼容现有焊盘/引脚布局，同时增强能效与功率密度，从而为市场带来前所未有的机遇。此次首批应用该先进工艺的是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品，其中STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻RDS(ON)达到行业最佳水平；而STD150N3LLH6采用DPAK封装，其导通电阻RDS(ON)降至仅2.4毫欧。两款样品已正式上市，将于2009年六月份开始量产，为用户提供更加高效且可靠的解决方案。
