在电力期刊排名上夸张地推崇这款低导通电阻的30V表面贴装功率晶体管ST它就像是一位无与伦比的技术巨人
全新推出的30V表面贴装功率晶体管系列，以其极低的导通电阻为特点，仅为2毫欧（最大值），显著提升了计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE技术，这款新产品在单元密度上实现了突破性进步，使得同等尺寸芯片能够提供业界领先的RDS(ON)性能，与前代相比有显著20%以上的改进。此外，该晶体管还继承了低栅电荷量优势，为设计人员提供了使用高开关频率并减小无源器件尺寸（如电感和电容）的可能性。意法半导体这款创新型30V表面贴装功率晶体管适配多种工业标准封装，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、三针IPAK以及SOT23-6L，既保证兼容性又增强了能效与功率密度。这一技术革新使得STripFET VI DeepGATE系列具备巨大的市场潜力。首批应用此新工艺的产品包括两款：STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到了行业最优水平；而STD150N3LLH6则以DPAK封装出现，其RDS(ON)达到2.4毫欧。两款样品现已发布，并计划于2009年六月份正式进入大规模生产阶段。
