电源网官网论坛上最强悍的30V表面贴装功率晶体管ST它的低导通电阻简直就是超人般的能力让所有电子工程
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低的导通电阻仅为2毫欧（最大值），这项技术革新将极大地提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该系列产品实现了单元密度的大幅提高，并通过有效芯片尺寸对比，使得业界领先的RDS(ON)导通电阻性能获得了显著提升，相较于前一代产品性能提升达20%以上。这对于设计高效开关稳压器和直流-直流转换器至关重要，因为它允许使用更小型化的贴装功率封装。此外，这款晶体管还继承了其优异的低栅电荷特性，从而使得设计人员能够在高频开关条件下选择更小尺寸无源部件，如电感和电容。
意法半导体新的30V表面贴装功率晶体管系列提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK以及SOT23-6L等，同时保持与现有焊盘/引脚布局兼容，并进一步增强其能效与功率密度。这种创新设计为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列带来了巨大的市场机遇。首批应用此新工艺的产品包括STL150N3LLH6及STD150N3LLH6两款，其特点是单位面积RDS(ON)达到了行业最优水平；其中，STL150N3LLH6以5x6mm PowerFLAT封装呈现，而STD150N3LLH6则采用DPAK封装，其RDS(ON)达到惊人的2.4毫欧。这两款样品已经上市，并计划于2009年第六月份正式量产。