超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST绝对适合于高效稳定的交流恒流源应用
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE芯片制造工艺，显著增强了单元密度，使得同样尺寸的晶体管能够承载更多功能。相比之前版本，本款产品在RDS(ON)方面有20%以上的进步，支持更小型化设计，如开关稳压器和直流-直流转换器可选择更紧凑的封装形式。这不仅得益于其先天低栅电荷量特性，也为设计师提供了使用高频开关频率并选用较小无源元件如电感和电容的可能性。意法半导体此次发布30V表面贴装功率晶体管系列，以多种工业标准封装呈现：包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK以及SOT23-6L等，同时保持与现有焊盘/引脚布局兼容。此举进一步提高了能效与功率密度，为市场带来巨大的商业机会。本次采纳新工艺生产的两款产品分别是STL150N3LLH6及STD150N3LLH6，其中前者采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到了行业内最优水平；后者以DPAK封装，并实现2.4毫欧级别低RDS(ON)。两款样品已上市，计划于2009年六月份正式进入量产阶段。
