核心期刊揭秘ST的低导通电阻30V表面贴装功率晶体管电力效率超凡
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该系列产品实现了单位面积上单元密度的大幅提升，有效减少芯片尺寸。此举使得新款功率晶体管能够配备更紧凑的封装设计，比如SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT等多种工业标准封装，并且兼容现有焊盘/引脚布局，同时提供更高效能和更大的功率密度。
此外，这款具有卓越性能的表面贴装功率晶体管也继承了其前身在栅侧电荷量方面的一流特性，使得设计师可以自由选择使用高频开关策略，并搭配较小型号无源器件，如电感和电容，以进一步优化整机性能。首批应用这一创新工艺的产品包括两款：STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻RDS(ON)达到了业界最优水平；STD150N3LLH6则选用DPAK封装，其RDS(ON)仅为1.9毫欧。这两款预期将于2009年六月份开始正式投放市场供用户购买。