电源厂家推出绝对强大的30V表面贴装功率晶体管ST其低导通电阻性能惊人犹如一位无畏挑战的英雄在电子设
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，这款产品实现了业界领先的单元密度与尺寸对比，更是通过高效芯片设计实现了20%以上的导通电阻RDS(ON)性能提升。此外，该晶体管还继承了自身优秀的栅端电荷量特性，使得它能够支持更高频率开关操作，从而在产品设计中选择更加紧凑无源器件，如缩小尺寸的电感和电容。这一系列30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT等，并保持向后兼容现有焊盘/引脚布局，同时提高能效和功率密度。这种兼容性为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列带来了广阔市场前景。首批应用该新工艺技术的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款，其单位面积导通电阻RDS(ON)达到了历史最低水平，特别是STD150N3LLH6以2.4毫欧之优异成绩占据榜首。而这两款产品已经开始样品发售，将于2009年六月份正式进入量产阶段，为电子行业带来新的激动人心挑战。
