超卓性能的30V表面贴装功率晶体管ST掌握20个基本电路图开启电路设计新篇章
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将大幅提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，这款晶体管实现了单元密度的大幅增强，同时有效缩减芯片尺寸，使得在同等尺寸下可以提供业界最佳的导通电阻RDS(ON)，相较于前一代产品性能提升达20%以上。这使得设计师能够在高开关频率下使用更小型无源器件，如电感和电容，从而进一步优化产品设计。此外，本款晶体管还保持其低栅门电荷特性，为高频开关操作打下坚实基础。意法半导体为此系列产品提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，以满足不同应用需求，同时兼顾现有焊盘/引脚布局设计，提高能效与功率密度。这一创新也为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列打开了广阔市场前景。本次采用新工艺的首批产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款，它们分别以5x6mm PowerFLAT和DPAK封装，并以极低单位面积导通电阻RDS(ON)吸引用户。而这两款样品已经上市，并计划于2009年第2季度正式量产。
