超卓性能的30V表面贴装功率晶体管电源模块中的佼佼者ST
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项技术革新将极大提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了单元密度的大幅提升，有效缩小芯片尺寸，并在开关稳压器和直流-直流转换器应用中实现最佳的RDS(ON)性能，相比前代产品性能提高约25%。此外，这款晶体管还继承了低栅电荷量优势，使得设计师可以选择更高频率开关操作，同时使用更小型化无源元件，如电感和电容。此系列产品提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK以及SOT23-6L等，以确保与现有焊盘/引脚布局兼容，同时提升能效和功率密度。这一创新使得意法半导体的STripFET VI DeepGATE系列产品能够占领市场最大份额。首批采用该新工艺生产的两款产品分别为STL150N3LLH6和STD150N3LLH6，其中STL150N3LLH6以5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到了行业最优水平，而STD150N3LLH6采用DPAK封装，其RDS(ON)仅2.4毫欧。两款样品已经上市，并计划于2009年第2季度正式进入大规模生产阶段。
