超级高效的30V表面贴装功率晶体管ST完美适用于开关电源电路图及原理讲解
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低的导通电阻仅为2毫欧（最大值），这项技术革新将极大地提升计算机、通信设备和网络产品的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该系列产品实现了单元密度的大幅提高，并通过有效芯片尺寸对比，使得在同等尺寸下获得业内最优的导通电阻RDS(ON)，相较于前一代产品性能提升达20%以上。此外，这款晶体管还保持了其低栅电荷量特性，使得设计师可以选择更高开关频率，从而在实际应用中使用更小型化无源器件，如电感和电容。
意法半导体这一创新30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK以及SOT23-6L，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时也能够显著提高能效和功率密度。这一优势使得意法半导体的STripFET VI DeepGATE系列产品具备强大的市场竞争力。首批采用此新工艺制成的两款晶体管分别是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6。其中，STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积导通电阻 RDS(ON)达到行业最低水平；而STD150N3LLH6则以DPAK封装出色，其最大导通电阻 RDS(ON)为2.4毫欧。这两款样品已经上市，并计划于2009年六月正式进入量产阶段。