现代电子技术之神奇竟能孕育出低导通电阻的30V表面贴装功率晶体管ST它不仅在性能上超越常人想象在实用
全新推出的30V表面贴装功率晶体管，极低导通电阻仅1.8毫欧（最小值），这项革新技术将极大提升计算机、通信设备和网络系统的能效表现。采用意法半导体最新研发的STripFET VI DeepGATE先进制造工艺，该产品实现了单位面积上最大化单元密度，使得同等尺寸下性能更为出色。相比前一代产品，新的表面贴装功率晶体管在RDS(ON)方面有20%以上显著提升，便于应用于开关稳压器和直流-直流转换器中。此外，本款产品保持低栅电荷量特性，为设计师提供高频开关操作的可能性，从而选择更小型无源元件，如电感及电容。意法半导体以此系列30V表面贴装功率晶体管提供多种工业标准封装选项，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、三针IPAK以及SOT23-6L，以兼容现有焊盘/引脚布局，同时增强能效与功率密度。这一突破性改进为意法半导体STripFET VI DeepGATE系列创造了巨大的市场需求潜力。首批采纳此新工艺的两款产品分别是STL150N3LLH6和STD150N3LLH6，其中前者采用5x6mm PowerFLAT封装，其单位面积RDS(ON)达到行业最优水平；后者采用DPAK封装，其RDS(ON)仅2.4毫欧。此两款样品已公开销售，并计划于2009年六月份正式进入大规模生产阶段。
